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[产品介绍]：2007年3月20日,IXYS公司正式推出低电压大电流采用绝缘封装的MOSFET,电压从55V到100V,有极低损耗和极低的Rds(on),这是IXYS公司不断丰富的针对低电压,大电流功率变换的应用的产品之一.
新的大电流MOSFET采用了IXYS专利的ISOPLUS封装工艺!这种ISOPLUS i5-Pak封装的 大电流MOSFET特点是导通损耗和开关损耗极低,有硬开关需要的雪崩额定值.这一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封装的MOSFET集成了两个大电流MOSFET芯片,是高可靠性,高大电流处理能力的绝缘封装的产品.传统的分立器件的封装的电流处力能力基本上都是局限在75A以下,这大大低于其内部的晶片的电流处力能力.而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封装就是为克服这一难点设计的,它结合了非常好的绝缘,散热能力和高功率循环能力等优点.同时可以灵活地把不同拓朴结构封装于其中.以这系列的大电流MOSFET为例,该产品有5个管脚.集成了并联的两个MOSFET,以两个内部相联的管脚作输出,使该封装的电流处理能力高达150A,大大超出传统封装电流处理能力的极限!
所有IXYS的ISOPLUS封装均采用直接铜焊(DCB)技术作内部绝缘(该技术一般只应用于功率模块),并且已取得UL认证.其中:IXTL2X240N055T,是55V的,Rds(on)仅0.0044欧姆,Rth(jc)仅1.0 k/w ,IXTL2X18N10T 100V Rds(on)仅0.0074欧姆,Rth(jc)仅1.0 k/w,这些产品能为电动汽车, 电动叉车, 电动摩托车,高尔夫球车等高功率,低电压的应用提供独特的高性价比的器件方案.
IXTL2x220N075T VDSS Max (V) 75 ID(cont) TC=25°C (A) 2X120 RDS(on)MaxTj=25°C(Ω) 0.0055
IXTL2x200N085T VDSS Max (V) 85 ID(cont) TC=26°C (A) 2X112 RDS(on)MaxTj=26°C(Ω) 0.006
IXTL2x180N10T VDSS Max (V) 100 ID(cont) TC=27°C (A) 2X100 RDS(on)MaxTj=27°C(Ω) 0.0074
IXTL2x240N055T VDSS Max (V) 55 ID(cont) TC=28°C (A) 2X140 RDS(on)MaxTj=28°C(Ω) 0.0044 |
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